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  • 产品名称: KS-S300-E 单片湿法刻蚀机
  • 基片尺寸: 100mm~300mm
  • 适用材料: -
  • 适用工艺: 刻蚀、清洗、去胶

满足半导体制造中湿法刻蚀工艺,单片加工,适用于SiO2SiNPolysilicon和各种金属层的刻蚀,清洗和去胶等工艺流程。

1.采用独特的夹持技术,在夹持硅片的同时,硅片的另一面被气体有效的保护,不被化学液所污染.

2.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液,可以有效的提高刻蚀均匀性.

3.分层式反应腔体设计,可以在同一腔体中喷洒多种化学液,并能有效回收,节约化学液.

基片尺寸:100mm~300mm 化学液温度:室温~80℃ 喷洒方式:硅片表面扫描 外型尺寸:W1860×D1660×H2200 (mm)
先进封装